10月13日消息，日本佳能宣布推出新型光刻设备：FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备！

据佳能介绍，传统的光刻设备通过将电路图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上，而佳能此新产品通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模来实现这一点，就像邮票一样。

据了解，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。

资料显示，纳米压印是一种微纳加工技术，它采用传统机械模具微复型原理。简单来说，传统的光刻设备通过将电路图案投影到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而纳米压印光刻造芯片则通过将印有电路图案的掩模压印在晶圆上的抗蚀剂上，就像印章盖在橡皮泥上，然后经过脱模就能够得到一颗芯片。

官方消息显示，佳能早在2004年开始秘密研发NIL技术，2014年美国分子压印公司（现佳能纳米技术）加入佳能集团，该研发消息才被公开。

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